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產(chǎn)品詳細(xì)頁(yè)簡(jiǎn)要描述:真空高溫爐用于真空與氣氛狀態(tài)下,陶瓷材料的合成與燒結(jié);玻璃融化,金屬熔融,分體煅燒;無(wú)氧或者氣體保護(hù)狀態(tài)下,有機(jī)質(zhì)的熱解碳化;干燥,濃縮,熱處理。
- 廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
- 更新時(shí)間:2024-10-22
- 訪 問(wèn) 量:1351
產(chǎn)品介紹
品牌 | 中奧菲達(dá) | 升溫速度(達(dá)到最高溫) | 40/min |
---|---|---|---|
內(nèi)部尺寸 | 300x200x200mm | 加熱方式 | 硅碳棒 |
最大功率 | 4000kW | 控溫精度 | 1℃ |
最高溫度 | 1400℃ | 價(jià)格區(qū)間 | 1萬(wàn)-2萬(wàn) |
儀器種類 | 箱式爐 | 產(chǎn)地類別 | 國(guó)產(chǎn) |
應(yīng)用領(lǐng)域 | 醫(yī)療衛(wèi)生,環(huán)保,化工,生物產(chǎn)業(yè),綜合 |
真空高溫爐通用功能
1、升溫速度快:20min內(nèi)就可由室溫程序升溫至1000℃ ;
2、氣氛環(huán)境:真空環(huán)境,真空度可達(dá)-0.0099Mpa;
3、水冷卻系統(tǒng):根據(jù)物料特性,溫度可達(dá)到1400℃,長(zhǎng)時(shí)間連續(xù)工作溫度100~1300℃;
4、單路氣氛:設(shè)置氣體進(jìn)出口及爐膛內(nèi)氣體排出口;
5、進(jìn)口紅外測(cè)溫儀,可以不接觸測(cè)試物料溫度,避免微波場(chǎng)干擾;
6、門體多重連鎖結(jié)構(gòu),開(kāi)門斷電,保護(hù)操作人員,微波泄漏防護(hù)符合國(guó)標(biāo);
7、采用PLC自動(dòng)控制,溫度功率均智能可控,觸摸屏操作;
8、微波功率可調(diào),連續(xù)可調(diào)。
真空高溫爐重要技術(shù)參數(shù)
一、型號(hào):AFD1100-50;
二、設(shè)備尺寸
a、工作區(qū)尺寸:D500(mm) * W400(mm) * H400(mm);
三、機(jī)器結(jié)構(gòu)
a、單門落地式,控制部分位于機(jī)臺(tái)下方;
b、爐門為從左至右打開(kāi)。
四、主要技術(shù)參數(shù)
a、溫度范圍:RT~1300℃;
b、溫度波動(dòng)度:±1.0℃;
c、溫度均勻度:≤±5.0℃;
d、溫度:1400 ℃;
e、額定溫度:1300℃;
f、加熱元件:硅碳棒
g、熱電偶型號(hào):B型
h、四周表面溫度:≤ 溫升50℃;
i、升溫速率:≤ 20 ℃/ Min;
j、升溫速率:10 ℃/ Min;
K、降溫速率:≤ 15 ℃/ Min(爐膛溫度≥1000℃);
l、降溫速率:≤ 10 ℃/ Min(爐膛溫度≤1000℃);
m、加熱元件放在爐膛兩邊采用氣體對(duì)流和熱輻射加熱;
n、爐內(nèi)真空度20Kpa,爐內(nèi)正壓:max0.1Mpa;
o、爐膛內(nèi)可通氫氣、氮?dú)猓鯕猓ㄉ倭浚?、氬氣等氣體。
五、內(nèi)外材質(zhì)
a、爐膛材料:1560型日本進(jìn)口氧化鋁多晶體纖維(阿爾塞);
b、外層SPCC鋼板防銹處理+粉體烤漆處理;
六、密封裝置
a、爐門與爐體采用硅橡膠密封,配有循環(huán)水冷卻裝置;
b、爐體采用雙層爐殼,外城爐殼采用硅橡膠密封;
七、溫控系統(tǒng);
a、溫度控制為PID微電腦自動(dòng)演算,PV/SV同時(shí)顯示按鍵設(shè)定;
b、溫度控制方式為P.I.D+S.S.R可控硅;
c、控制方式:40段程序控溫;
八、保溫及加熱方式
a、耐高溫纖維及空氣隔熱;
b、加熱方式為熱輻射及自然對(duì)流;
九、安全保護(hù)系統(tǒng)
a、保險(xiǎn)絲;
b、過(guò)電流保護(hù)裝置、過(guò)溫保護(hù)裝置;
十、配件清單
a、流量計(jì):1只;
b、高溫手套:一副;
c、氧化鋁墊磚:1 塊;
十、電源: 三相380V
功率:12KW
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